1、开关速度： 开关速度是二极管从关闭到开启或从开启到关闭的时间。 SiC MOSFET通常具有快速的开关速度，适用于高频应用。

2、开关损耗： 开关损耗是MOSFET在开启和关闭过程中产生的能量损耗。较低的开关损耗有助于提高效率。

3、反向恢复时间： 反向恢复时间是指当二极管从导通状态切换到截止状态时，反向电流恢复到零的时间。较短的反向恢复时间有助于减小反向恶化。

4、噪声： 碳化硅MOSFET二极管可能会产生开关噪声，如电压和电流尖峰。 SiC MOSFET通常具有较低的开关噪声。

5、温度稳定性： 碳化硅MOSFET二极管通常具有较好的温度稳定性，可以在高温环境下工作。

6、频率响应： 碳化硅MOSFET二极管在高频率下具有较好的性能，适用于射频和高频应用。

这些动态特性将影响在各种应用中的性能和效率。选择适合特定应用需求的碳化硅MOSFET二极管需要考虑这些特性，并与电子元件供应商或工程师进行详细咨询以获得最佳性能。