氮化镓（GaN）二极管是一类基于氮化镓半导体材料制造的电子器件。以下是氮化镓器件代理商分享的一些常见类型的氮化镓二极管：

1、氮化镓正温度系数二极管（GaN PTC Diode）： 这种类型的GaN二极管具有正温度系数，也称为正温度系数热敏二极管。其电阻随温度升高而增加，通常用于温度测量和控制电路中。

2、氮化镓负温度系数二极管（GaN NTC Diode）： 这种类型的GaN二极管具有负温度系数，也称为负温度系数热敏二极管。其电阻随温度升高而减小，常用于温度补偿和温度衡量的应用。

3、氮化镓肖特基势垒二极管（GaN Schottky Diode）： 这是一种基于Schottky势垒的二极管，常用于高频、高速、高温度应用。由于GaN的高电子迁移率，使得Schottky势垒二极管在高频应用中表现出色。

4、氮化镓吸收光二极管（GaN Photodiode）： 这是一种用于光探测的二极管，能够感测可见光、紫外光等波长范围的光信号。在一些光通信和光电子学应用中使用。

5、氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）： 虽然HEMT（高电子迁移率晶体管）更类似于场效应晶体管而不是二极管，但它也是一种基于GaN材料的重要器件。HEMT用于高功率、高频率应用，例如射频功率放大器。

这些GaN二极管在不同的应用场景中发挥着重要作用，提供了高性能、高功率密度和高频率操作的优势。在通信、电源管理、光电子学等领域中，GaN二极管的应用逐渐增多。