型号	额定电压(V)	额定正向电流(A)
SDS065J010S3	650	10 @Tc=155℃
VF典型值(V) @Tj=25℃	浪涌电流(A) @Tc=25℃	反向漏电流(uA) @Tj=25℃
1.3	80	30
Tj(℃)	单芯/双芯	封装类型
-55~175	单芯	DFN8*8

1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能，使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。