三安半导体
产品型号:SDS065J006S3
产品型号:SDS065J006S3
型号 | 额定电压(V) | 额定正向电流(A) |
SDS065J006S3 | 650 | 6 @Tc=155℃ |
VF典型值(V) @Tj=25℃ |
浪涌电流(A) @Tc=25℃ |
反向漏电流(uA) @Tj=25℃ |
1.3 | 48 | 18 |
Tj(℃) | 单芯/双芯 | 封装类型 |
-55~175 | 单芯 | DFN8*8 |
1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。
产品描述 / Product Description
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产品参数 / Product parameters