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基本半导体
产品型号:B2D10065Q
型号 VRRM(V) IF(A)
B2D10065Q 650 10
IFSM(A) VF(V) Ptot(W)
70 1.33 126
QC(nC) Package(封装) 库存数量
29 DFN8*8 15K
1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。
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产品描述 / Product Description


产品参数 / Product parameters


碳化硅二极管应用领域

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