型号	VRRM（V）	IF（A）
B2D20065HC1	650	10*/20**
IFSM(A)	VF(V)	Ptot(W)
70*	1.34	172*
QC(nC)	Package（封装）	库存数量
31	TO-247-3	15K

1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能，使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。