可控硅和二极管的压降并不一样，它们有着不同的电压特性。
（1）可控硅（SCR）：

可控硅的正向导通特性与普通二极管类似，都具有正向电压降。当可控硅导通时，正向电压降（通态电压）通常是非常低的，一般在几个伏特范围内，取决于具体的器件类型和工作条件。可控硅的通态电压一般比较恒定，不随导通电流的变化而明显变化。

（2）二极管：
普通二极管的正向电压降（正向压降）通常也是几个伏特，但与可控硅相比，二极管的通态电压通常要比可控硅更低。例如，硅二极管的正向压降一般在0.6V到0.7V之间，而高效率硅碳化（SiC）二极管的正向压降可能更低。
总的来说，可控硅和二极管的正向电压降都是正值，但具体数值不同。在电路设计中，需要根据具体的应用需求和器件特性来选择合适的器件类型和参数。