基本半导体
产品型号:B2D16120HC1
产品型号:B2D16120HC1
型号 | VRRM(V) | IF(A) |
B2D16120HC1 | 1200 | 8*/16** |
IFSM(A) | VF(V) | Ptot(W) |
80* | 1.34 | 170* |
QC(nC) | Package(封装) | 库存数量 |
48 | TO-247-3 | 15K |
1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。
产品描述 / Product Description
产品参数 / Product parameters